SK海力士再度對人工智能下注巨額投資。這家南韓記憶體巨頭於週五批准了54兆韓元（約380億美元）的新製造投資，授權興建兩座新的晶圓廠，以擴大生產驅動AI系統的記憶體晶片。此舉反映該公司深信AI基礎設施的需求將在未來數年持續強勁——而且記憶體而非處理器，仍是產業最大的瓶頸。
這項公告發布之際，該公司甫交出創紀錄的季度業績，彰顯了高頻寬記憶體（HBM）在當前AI熱潮中的重要性。根據Cryptopolitan先前的報導，受惠於HBM技術需求持續增長，SK海力士第二季營收達79.3兆韓元，淨利達60.5兆韓元。該公司已開始大量出貨HBM4晶片，以維持其在AI記憶體領域的領導地位。
這項投資對AI晶片製造商和雲端服務業者至關重要，因為先進加速器裝置依賴於透過先進封裝技術（如台積電的CoWoS）將多組HBM堆疊整合在晶片旁。若HBM記憶體供應數量不足，僅提高GPU晶片產量並無濟於事。
根據Omdia發布的報告，由於AI帶動DRAM和NAND需求增加，記憶體可望在2026年前佔全球半導體市場營收逾50%。TrendForce則表示，DRAM和HBM的供應至少到2027年都將維持吃緊，因為儘管業界有多項擴產計畫，先進封裝產能仍將有限。
SK海力士向Nvidia及其他AI加速器製造商供應HBM，因此其製造計畫成為衡量AI基礎設施擴張速度的關鍵指標。這項投資緊隨Cryptopolitan近期關於Nvidia執行長黃仁勳宣布與SK集團展開5000億美元合作的報導之後，彰顯了記憶體生產日益重要的地位。
54兆韓元流向何處 SK海力士宣布，將有35.2兆韓元 allocated 用於興建位於龍仁的Y2 DRAM晶圓廠。同時，19.1兆韓元將用於興建位於清州園區的M17 NAND快閃記憶體晶圓廠。估計合計投資金額約為380億美元。
這些計畫是SK海力士更宏大的發展藍圖中不可或缺的一環。該公司已承諾投入600兆韓元於龍仁半導體聚落，另投入100兆韓元擴建清州廠區，而鄰近的Y1晶圓廠建設已正在進行中。
該公司正採取措施鞏固其在AI記憶體領域的地位。根據Counterpoint Research的Memory Tracker數據，SK海力士在2026年第一季囊括了全球HBM營收的58%，三星（21%）和美光（21%）緊隨其後。
HBM如今已成為AI產業中罕見的關鍵材料。與一般DRAM材料不同，HBM運用了堆疊技術、矽穿孔技術（TSV）以及複雜的封裝技術，使其製造難度極高。
根據Omdia的預測，受AI相關NAND和DRAM需求帶動，2026年半導體產業將成長94.1%。
供應短缺已開始影響產品開發計畫。例如，Nvidia目前正考慮為其下一代Rubin Ultra加速器採用8-Hi HBM和HBM4解決方案，而非原先計畫的12-Hi HBM4e，因為市場擔憂2027年DRAM供應減少可能阻礙HBM模組的生產。
這種動態意味著記憶體供應商日益主導AI硬體進入市場的速度。記憶體產能增加會帶動加速器出貨量成長，而記憶體短缺則迫使製造商根據可用記憶體數量調整產品設計。
新廠將生產什麼、何時投產 分析師預期供應吃緊的情況將持續，因為新晶圓廠需要數年時間才能投產。
據SK海力士表示，Y2晶圓廠預計將同時生產HBM產品及次世代DRAM產品。建設將於2027年7月動工，無塵室預計於2029年6月完成。M17晶圓廠則將於2027年2月動土，無塵室預計於2028年12月就緒。
SK海力士表示，這項投資是為一項預期將長期持續的轉型奠定基礎，而非僅是短暫的AI熱潮。該公司指出，根據Omdia的預測，全球DRAM和NAND需求至2030年將以19%的年複合成長率增長，這印證了SK海力士的信念：大規模記憶體製造是在人工智慧時代取得競爭優勢的關鍵。
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