SK hynix đang thực hiện một vụ cá cược lớn khác vào trí tuệ nhân tạo. Gã khổng lồ sản xuất chip nhớ Hàn Quốc đã phê duyệt 54 nghìn tỷ won (khoảng 38 tỷ USD) cho các khoản đầu tư sản xuất mới vào thứ Sáu, cho phép xây dựng hai nhà máy chip mới nhằm mở rộng sản xuất chip nhớ cung cấp năng lượng cho các hệ thống AI. Động thái này phản ánh niềm tin của công ty rằng nhu cầu về cơ sở hạ tầng AI sẽ duy trì mạnh mẽ trong nhiều năm tới—và rằng bộ nhớ, chứ không phải bộ xử lý, vẫn là ràng buộc lớn nhất của ngành công nghiệp.
Thông báo này được đưa ra sau kết quả quý kỷ lục đã chứng minh tầm quan trọng của bộ nhớ băng thông cao (HBM) trong làn sóng bùng nổ AI hiện nay. Theo một báo cáo trước đó của Cryptopolitan, SK Hynix đã công bố doanh thu 79,3 nghìn tỷ won trong quý II và 60,5 nghìn tỷ won lợi nhuận ròng nhờ nhu cầu ngày càng tăng đối với công nghệ HBM. Công ty đã bắt đầu giao hàng số lượng lớn chip HBM4 để duy trì vị thế dẫn đầu trong lĩnh vực bộ nhớ AI.
Khoản đầu tư này rất quan trọng đối với các công ty sản xuất chip AI và dịch vụ đám mây, vì các thiết bị tăng tốc phức tạp phụ thuộc vào việc tích hợp nhiều khối HBM bên cạnh chip bằng công nghệ đóng gói tiên tiến, chẳng hạn như CoWoS của TSMC. Chỉ tăng sản lượng chip GPU sẽ không giúp ích gì nếu bộ nhớ HBM không có đủ số lượng.
Theo một báo cáo do Omdia công bố, bộ nhớ có khả năng chiếm hơn 50% doanh thu thị trường bán dẫn toàn cầu vào năm 2026 do nhu cầu tăng cao đối với DRAM và NAND vì AI. TrendForce tuyên bố rằng nguồn cung DRAM và HBM sẽ vẫn eo hẹp ít nhất đến năm 2027, vì công suất đóng gói tiên tiến sẽ bị hạn chế mặc dù có nhiều phát triển trên toàn ngành.
SK hynix cung cấp HBM cho Nvidia và các nhà sản xuất bộ tăng tốc AI khác, nghĩa là kế hoạch sản xuất của họ trở thành thước đo quan trọng cho tốc độ mở rộng cơ sở hạ tầng AI. Khoản đầu tư này tiếp nối báo cáo gần đây của Cryptopolitan về việc CEO Nvidia Jensen Huang công bố hợp tác trị giá 500 tỷ USD với SK Group, cho thấy tầm quan trọng ngày càng tăng của sản xuất bộ nhớ.
54 nghìn tỷ won sẽ được dùng vào đâu SK hynix thông báo rằng số tiền 35,2 nghìn tỷ won sẽ được phân bổ cho việc xây dựng nhà máy DRAM Y2 tại Yongin. Đồng thời, 19,1 nghìn tỷ won sẽ được sử dụng để xây dựng nhà máy NAND flash M17 tại khuôn viên Cheongju. Ước tính tổng khoản đầu tư sẽ lên tới khoảng 38 tỷ USD.
Các dự án này là một phần không thể thiếu trong kế hoạch phát triển rộng lớn hơn của SK hynix. Công ty đã cam kết 600 nghìn tỷ won cho Khu liên hợp bán dẫn Yongin và thêm 100 nghìn tỷ won để mở rộng Cheongju, trong khi việc xây dựng nhà máy Y1 liền kề đang được tiến hành.
Công ty đang thực hiện các bước để củng cố vị thế của mình trong lĩnh vực bộ nhớ AI. SK hynix đã nhận được 58% doanh thu HBM toàn cầu trong quý đầu tiên của năm 2026 dựa trên Memory Tracker của Counterpoint Research, với Samsung (21%) và Micron (21%) xếp sau.
HBM hiện là một trong những vật liệu hiếm trong ngành công nghiệp AI. Khác với vật liệu DRAM thông thường, nó sử dụng công nghệ xếp chồng, công nghệ TSV (through-silicon vias) và công nghệ đóng gói phức tạp, khiến việc chế tạo trở nên cực kỳ khó khăn.
Theo dự báo của Omdia, ngành công nghiệp bán dẫn sẽ tăng trưởng 94,1% trong năm 2026, được thúc đẩy bởi nhu cầu liên quan đến AI đối với NAND và DRAM.
Tình trạng thiếu hụt nguồn cung đã bắt đầu ảnh hưởng đến các kế hoạch phát triển sản phẩm. Ví dụ, Nvidia hiện đang xem xét 8-Hi HBM và các giải pháp HBM4 cho bộ tăng tốc Rubin Ultra tiếp theo thay vì HBM4e 12-Hi như kế hoạch ban đầu do lo ngại rằng nguồn cung DRAM giảm vào năm 2027 có thể cản trở việc sản xuất các mô-đun HBM.
Động thái này có nghĩa là các nhà cung cấp bộ nhớ ngày càng kiểm soát tốc độ phần cứng AI có thể ra mắt thị trường. Việc tăng công suất bộ nhớ dẫn đến sự tăng trưởng trong lượng xuất xưởng bộ tăng tốc, trong khi tình trạng thiếu bộ nhớ buộc các nhà sản xuất phải điều chỉnh thiết kế sản phẩm theo lượng bộ nhớ có sẵn.
Các nhà máy sẽ sản xuất gì và khi nào Các nhà phân tích dự đoán tình trạng thắt chặt nguồn cung sẽ tiếp tục vì phải mất vài năm trước khi các nhà máy mới đi vào hoạt động.
Theo SK hynix, nhà máy Y2 dự kiến sẽ sản xuất cả sản phẩm HBM cũng như các sản phẩm DRAM thế hệ tiếp theo. Việc xây dựng sẽ bắt đầu vào tháng 7 năm 2027, với phòng sạch dự kiến hoàn thành vào tháng 6 năm 2029. Lễ động thổ cho nhà máy M17 sẽ diễn ra vào tháng 2 năm 2027 và phòng sạch của nhà máy sẽ sẵn sàng vào tháng 12 năm 2028.
Theo SK hynix, khoản đầu tư này đóng vai trò là nền tảng cho một quá trình chuyển đổi dự kiến sẽ kéo dài thay vì chỉ là một xu hướng AI ngắn hạn. Công ty cho biết dựa trên dự báo của Omdia, nhu cầu toàn cầu về DRAM và NAND sẽ tăng trưởng với tốc độ CAGR 19% cho đến năm 2030, qua đó xác nhận niềm tin của SK hynix vào tầm quan trọng của sản xuất bộ nhớ quy mô lớn để cạnh tranh giành chiến thắng trong kỷ nguyên trí tuệ nhân tạo.
Những bộ óc tiền điện tử thông minh nhất đã đọc bản tin của chúng tôi. Muốn tham gia? Tham gia cùng họ.