SK hynix делает еще одну масштабную ставку на искусственный интеллект. Южнокорейский гигант по производству памяти утвердил в пятницу новые производственные инвестиции в размере 54 трлн вон (около 38 млрд долларов), разрешив строительство двух новых заводов по выпуску чипов, которые расширят производство микросхем памяти, обеспечивающих работу систем ИИ. Этот шаг отражает уверенность компании в том, что спрос на ИИ-инфраструктуру останется высоким в течение многих лет, и что именно память, а не процессоры, остается главным ограничением для отрасли.
Это объявление последовало за рекордными квартальными результатами, которые продемонстрировали важность высокоскоростной памяти (HBM) в нынешнем буме ИИ. Согласно предыдущему отчету Cryptopolitan, SK Hynix сообщила о выручке в 79,3 трлн вон во втором квартале и чистой прибыли в 60,5 трлн вон благодаря растущему спросу на технологию HBM. Компания начала крупные поставки чипов HBM4, чтобы сохранить лидерство в области ИИ-памяти.
Эти инвестиции имеют решающее значение для компаний, производящих ИИ-чипы и облачные сервисы, поскольку сложные ускорители полагаются на интеграцию нескольких стеков HBM рядом с чипами с использованием передовых технологий упаковки, таких как CoWoS от TSMC. Простое увеличение производства GPU-чипов не поможет, если память HBM будет доступна в недостаточном количестве.
Согласно отчету, опубликованному Omdia, к 2026 году на память, вероятно, будет приходиться более 50% мировой выручки рынка полупроводников из-за повышенного спроса на DRAM и NAND, обусловленного ИИ. TrendForce утверждает, что предложение DRAM и HBM останется ограниченным как минимум до 2027 года, поскольку мощности передовой упаковки будут ограничены, несмотря на многочисленные отраслевые разработки.
SK hynix поставляет HBM компании Nvidia и другим производителям ИИ-ускорителей, что делает ее производственные планы ключевым показателем скорости расширения ИИ-инфраструктуры. Эти инвестиции последовали за недавним отчетом Cryptopolitan о заявлении генерального директора Nvidia Дженсена Хуанга о сотрудничестве на 500 млрд долларов с SK Group, что демонстрирует растущую значимость производства памяти.
Куда пойдут 54 трлн вон SK hynix объявила, что 35,2 трлн вон будет выделено на строительство завода по производству DRAM Y2 в Йонгине. В то же время 19,1 трлн вон будет направлено на строительство завода по производству NAND-флэш-памяти M17 на кампусе в Чхонджу. По оценкам, совокупные инвестиции составят около 38 млрд долларов.
Эти проекты являются неотъемлемой частью более масштабных планов развития SK hynix. Компания уже обязалась вложить 600 трлн вон в полупроводниковый кластер в Йонгине и еще 100 трлн вон в расширение Чхонджу, а строительство соседнего завода Y1 уже ведется.
Компания предпринимает шаги для укрепления своих позиций в области ИИ-памяти. SK hynix получила 58% мировой выручки от HBM в первом квартале 2026 года согласно Memory Tracker от Counterpoint Research, за ней следуют Samsung (21%) и Micron (21%).
HBM сейчас является одним из редких материалов в ИИ-индустрии. В отличие от обычных материалов DRAM, она использует технологию укладки, технологию сквозных кремниевых переходов (TSV) и сложную технологию упаковки, что делает ее чрезвычайно сложной в производстве.
Согласно прогнозам Omdia, в 2026 году рост полупроводниковой отрасли составит 94,1%, чему будет способствовать связанный с ИИ спрос на NAND и DRAM.
Дефицит предложения уже начал влиять на планы по разработке продуктов. Например, Nvidia сейчас рассматривает 8-Hi HBM и решения HBM4 для своего следующего ускорителя Rubin Ultra вместо ранее запланированного 12-Hi HBM4e из-за опасений, что снижение доступности DRAM в 2027 году может помешать производству модулей HBM.
Эта динамика означает, что поставщики памяти все больше контролируют скорость выхода ИИ-оборудования на рынок. Увеличение объемов памяти приводит к росту поставок ускорителей, а нехватка памяти вынуждает производителей корректировать дизайн своих продуктов в соответствии с доступным объемом памяти.
Что будут производить заводы и когда Аналитики ожидают сохранения условий ограниченного предложения, поскольку до ввода новых заводов в эксплуатацию пройдут годы.
По данным SK hynix, завод Y2 будет производить как продукцию HBM, так и DRAM следующего поколения. Строительство начнется в июле 2027 года, а чистая комната ожидается к июню 2029 года. Закладка фундамента завода M17 состоится в феврале 2027 года, а его чистая комната будет готова к декабрю 2028 года.
По словам SK hynix, эти инвестиции служат основой для перехода, который, как ожидается, займет время, а не просто краткосрочной ИИ-тенденцией. Компания указывает, что, согласно прогнозам Omdia, глобальный спрос на DRAM и NAND будет расти на 19% в год до 2030 года, что подтверждает уверенность SK hynix в значимости массового производства памяти для победы в конкурентной борьбе в эпоху искусственного интеллекта.
Самые умные умы в криптоиндустрии уже читают нашу рассылку. Хотите присоединиться? Присоединяйтесь к ним.