SK hynix fait un autre pari massif sur l'intelligence artificielle. Le géant sud-coréen de la mémoire a approuvé vendredi 54 000 milliards de wons (environ 38 milliards de dollars) de nouveaux investissements de fabrication, autorisant deux nouvelles usines de puces qui étendront la production des puces mémoire qui alimentent les systèmes d'IA. Cette décision reflète la conviction de l'entreprise que la demande d'infrastructures d'IA restera forte pendant des années — et que la mémoire, et non les processeurs, demeure la plus grande contrainte de l'industrie.
Cette annonce fait suite à des résultats trimestriels records qui ont démontré l'importance de la mémoire à large bande passante (HBM) dans le boom actuel de l'IA. Selon un rapport précédent de Cryptopolitan, SK Hynix a enregistré un chiffre d'affaires de 79 300 milliards de wons au deuxième trimestre, et un bénéfice net de 60 500 milliards de wons grâce à la demande croissante pour la technologie HBM. L'entreprise a commencé à effectuer d'importantes livraisons de puces HBM4 afin de maintenir son leadership dans le domaine de la mémoire pour l'IA.
Cet investissement est crucial pour les entreprises qui fabriquent des puces d'IA et des services cloud, car les dispositifs accélérateurs sophistiqués dépendent de plusieurs empilements HBM intégrés à côté des puces grâce à des technologies d'emballage avancées, telles que le CoWoS de TSMC. Augmenter simplement la production de puces GPU ne servirait à rien si la mémoire HBM n'est pas disponible en quantité suffisante.
Selon un rapport publié par Omdia, la mémoire devrait représenter plus de 50 % des revenus du marché mondial des semi-conducteurs d'ici 2026 en raison de la demande accrue de DRAM et de NAND liée à l'IA. TrendForce affirme que l'offre de DRAM et de HBM restera tendue au moins jusqu'en 2027, car la capacité d'emballage avancé sera limitée malgré plusieurs développements à l'échelle de l'industrie.
SK hynix fournit de la HBM à Nvidia et à d'autres fabricants d'accélérateurs d'IA, ce qui signifie que ses intentions de fabrication deviennent une mesure clé de la vitesse d'expansion des infrastructures d'IA. Cet investissement fait suite au récent rapport de Cryptopolitan concernant l'annonce par le PDG de Nvidia, Jensen Huang, d'une coopération de 500 milliards de dollars avec le groupe SK, démontrant l'importance croissante de la production de mémoire.
Où vont les 54 000 milliards de wons SK hynix a annoncé qu'une somme de 35 200 milliards de wons sera allouée à la construction de son usine de DRAM Y2 située à Yongin. Parallèlement, 19 100 milliards de wons seront utilisés pour la construction de l'usine de mémoire flash NAND M17 située sur son campus de Cheongju. On estime que l'investissement combiné s'élèvera à environ 38 milliards de dollars.
Ces projets font partie intégrante des plans de développement plus vastes de SK hynix. L'entreprise a déjà engagé 600 000 milliards de wons dans le cluster de semi-conducteurs de Yongin et 100 000 milliards de wons supplémentaires pour l'expansion de Cheongju, tandis que la construction de l'usine Y1 voisine est déjà en cours.
L'entreprise prend des mesures pour renforcer sa position dans la mémoire pour l'IA. SK hynix a reçu 58 % des revenus mondiaux de la HBM au premier trimestre 2026 selon le Memory Tracker de Counterpoint Research, suivi par Samsung (21 %) et Micron (21 %).
La HBM est désormais l'un des matériaux rares de l'industrie de l'IA. Contrairement aux matériaux DRAM classiques, elle utilise la technologie d'empilement, la technologie de vias traversants en silicium (TSV) et une technologie d'emballage complexe, ce qui la rend extrêmement difficile à fabriquer.
Selon les projections d'Omdia, l'industrie des semi-conducteurs connaîtra une croissance de 94,1 % en 2026, stimulée par la demande liée à l'IA pour la NAND et la DRAM.
La pénurie d'approvisionnement a déjà commencé à avoir un impact sur les plans de développement de produits. Par exemple, Nvidia envisage désormais des solutions HBM 8-Hi et HBM4 pour son prochain accélérateur Rubin Ultra au lieu de la HBM4e 12-Hi initialement prévue, en raison de craintes qu'une disponibilité réduite de la DRAM en 2027 puisse entraver la production de modules HBM.
Cette dynamique signifie que les fournisseurs de mémoire contrôlent de plus en plus la rapidité avec laquelle le matériel d'IA peut entrer sur le marché. Une augmentation de la capacité mémoire entraîne une croissance des expéditions d'accélérateurs, tandis qu'une pénurie de mémoire oblige les fabricants à réviser la conception de leurs produits en fonction de la quantité de mémoire disponible.
Ce que les usines construiront, et quand Les analystes anticipent des conditions d'offre toujours tendues car il faudra plusieurs années avant que les nouvelles usines ne soient opérationnelles.
Selon SK hynix, l'usine Y2 devrait produire à la fois des produits HBM ainsi que des produits DRAM de nouvelle génération. La construction commencera en juillet 2027, avec une salle blanche attendue pour juin 2029. Le début des travaux de l'usine M17 aura lieu en février 2027, et sa salle blanche sera prête d'ici décembre 2028.
Selon SK hynix, cet investissement sert de base à une transition qui devrait prendre du temps plutôt que d'être simplement une tendance éphémère de l'IA. L'entreprise indique que, sur la base des prévisions d'Omdia, elle connaîtra un taux de croissance annuel composé de 19 % de la demande mondiale de DRAM et de NAND jusqu'en 2030, confirmant ainsi la conviction de SK hynix quant à la pertinence de la fabrication de mémoire à grande échelle pour gagner de manière compétitive à l'ère de l'intelligence artificielle.
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