SK hynix está haciendo otra apuesta masiva por la inteligencia artificial. El gigante surcoreano de la memoria aprobó el viernes inversiones en nueva fabricación por 54 billones de wones (unos 38 mil millones de dólares), autorizando dos nuevas plantas de chips que expandirán la producción de los chips de memoria que impulsan los sistemas de IA. La medida refleja la creencia de la compañía de que la demanda de infraestructura de IA se mantendrá fuerte durante años, y que la memoria, no los procesadores, sigue siendo la mayor restricción de la industria.
Este anuncio llega después de resultados trimestrales récord que han demostrado la importancia de la memoria de alto ancho de banda (HBM) en el actual auge de la IA. Según un informe anterior de Cryptopolitan, SK Hynix registró ingresos de 79,3 billones de wones en el segundo trimestre, y 60,5 billones de wones en ingresos netos debido a la creciente demanda de tecnología HBM. La compañía ha comenzado a realizar grandes entregas de chips HBM4 para mantener su liderazgo en el campo de la memoria para IA.
La inversión es crucial para las empresas que fabrican chips de IA y servicios en la nube porque los dispositivos aceleradores sofisticados dependen de que múltiples pilas de HBM se integren junto a los chips utilizando tecnología de empaquetado avanzado, como el CoWoS de TSMC. Simplemente aumentar la producción de chips GPU no ayudaría si la memoria HBM no está disponible en cantidades suficientes.
Según un informe publicado por Omdia, se espera que la memoria represente más del 50% de los ingresos del mercado mundial de semiconductores para 2026 debido al aumento de la demanda de DRAM y NAND por la IA. TrendForce afirma que el suministro de DRAM y HBM se mantendrá ajustado al menos hasta 2027, ya que la capacidad de empaquetado avanzado será limitada a pesar de varios desarrollos en toda la industria.
SK hynix proporciona HBM a Nvidia y otros fabricantes de aceleradores de IA, lo que significa que sus intenciones de fabricación se convierten en una medida clave de la velocidad de expansión de la infraestructura de IA. Esta inversión sigue al reciente informe de Cryptopolitan sobre el anuncio del CEO de Nvidia, Jensen Huang, de una cooperación de 500 mil millones de dólares con SK Group, lo que demuestra la creciente importancia de la producción de memoria.
Hacia dónde van los 54 billones de wones SK hynix anunció que se asignará una suma de 35,2 billones de wones para la construcción de su planta de DRAM Y2 ubicada en Yongin. Al mismo tiempo, se utilizarán 19,1 billones de wones para construir la planta de memoria flash NAND M17 ubicada en su campus de Cheongju. Se estima que la inversión combinada ascenderá a unos 38 mil millones de dólares.
Estos proyectos son un componente integral de los planes de desarrollo más amplios de SK hynix. La compañía ya ha comprometido 600 billones de wones al Clúster de Semiconductores de Yongin y otros 100 billones de wones para expandir Cheongju, mientras la construcción de la planta vecina Y1 ya está en marcha.
La empresa está tomando medidas para fortalecer su posición en la memoria para IA. SK hynix recibió el 58% de los ingresos mundiales de HBM en el primer trimestre de 2026 según el Memory Tracker de Counterpoint Research, con Samsung (21%) y Micron (21%) siguiéndole.
El HBM es ahora uno de los materiales raros en la industria de la IA. A diferencia de los materiales DRAM normales, utiliza tecnología de apilamiento, tecnología de vías a través de silicio (TSV) y tecnología de empaquetado complejo, lo que lo hace extremadamente difícil de fabricar.
Según las proyecciones de Omdia, habrá un crecimiento del 94,1% en la industria de semiconductores en el año 2026, impulsado por la demanda relacionada con la IA de NAND y DRAM.
La escasez de suministro ya ha comenzado a afectar los planes de desarrollo de productos. Por ejemplo, Nvidia está considerando ahora soluciones de HBM de 8 capas y HBM4 para su próximo acelerador Rubin Ultra en lugar del HBM4e de 12 capas previamente planificado debido a las preocupaciones de que la disponibilidad reducida de DRAM en 2027 pueda obstaculizar la producción de módulos HBM.
Esta dinámica significa que los proveedores de memoria controlan cada vez más la rapidez con la que el hardware de IA puede entrar al mercado. Un aumento en la capacidad de memoria conduce al crecimiento en los envíos de aceleradores, mientras que una escasez de memoria obliga a los fabricantes a revisar el diseño de sus productos según la cantidad de memoria disponible.
Qué construirán las plantas y cuándo Los analistas anticipan condiciones continuas de oferta ajustada porque pasarán varios años antes de que las nuevas plantas estén operativas.
Según SK hynix, se espera que la planta Y2 produzca tanto productos HBM como productos DRAM de próxima generación. La construcción comenzará en julio de 2027, con la sala limpia esperada para junio de 2029. La ceremonia de inicio de obras de la planta M17 tendrá lugar en febrero de 2027, y su sala limpia estará lista para diciembre de 2028.
Según SK hynix, esta inversión sirve como base para una transición que se espera que tome tiempo en lugar de ser solo una tendencia de IA de corta duración. La empresa indica que, según los pronósticos de Omdia, verá un crecimiento CAGR del 19% en la demanda mundial de DRAM y NAND hasta 2030, confirmando así la creencia de SK hynix en la relevancia de la fabricación de memoria a gran escala para ganar competitivamente en la era de la inteligencia artificial.
Las mentes cripto más inteligentes ya leen nuestro boletín. ¿Quieres unirte? Únete a ellos.